Nat. Mater.：范德华异质结中激子辅助的电子隧穿
成果介绍弹性和非弹性电子隧穿的控制依赖于具有良好定义界面的材料。2D范德华材料是这类研究的一个很好平台。声学声子和缺陷态的特征已经在电流-电压测量中观察到。这些特征可以用电子-声子或电子-缺陷的直接相互作用来解释。有鉴于此，近日，瑞士苏黎世联邦理工学院Lukas Novotny和西班牙巴塞罗那科技学院F. Javier García de Abajo（共同通讯作者）等合作使用了一个隧穿过程，涉及过渡金属硫族化合物(TMDs)中的激子。本文研究了由六方氮化硼分隔的石墨烯和金电极与相邻TMD单层组成的隧穿结，并观察到在与TMD激子能量对应的偏置电压下，电流-电压测量中出现明显的谐振特征。通过将TMD放置在隧穿沟道之外，本文证明了这种隧穿过程不需要向TMD注入任何电荷。这种电输运中光模式的出现为基于范德华材料的光电器件引入了额外的功能。
图文导读
图1. 器件示意图、能带图和I-V特性。
图2. 隧穿光谱的温度依赖性。
图3. 隧穿诱导激子的辐射衰变。
图4. 激子辅助的电子隧穿途径。
文献信息Exciton-assisted electron tunnelling in van der Waals heterostructures(Nat. Mater., 2023, DOI:10.1038/s41563-023-01556-7)文献链接：https://www.nature.com/articles/s41563-023-01556-7
页:
[1]