研究透视：北京大学刘开辉团队 | 二维材料-外延生长 | Nature Nanotechnology
二维two-dimensional (2D)范德华 van der Waals (vdW)材料的特殊物理性质，已得以广泛研究，推动了材料合成的研究进展。外延生长是一种重要的合成策略，用以生产兼容先进集成电路的大面积、高质量2D薄膜。典型的2D单晶（例如石墨烯、过渡金属二硫属元素化物和六方氮化硼）已经实现了在晶片规模上的外延生长。为了给新兴二维材料的外延生长，提供战略指导，需要进行系统的总结。今日，北京大学Can Liu, Tianyao Liu, Zhibin Zhang，刘开辉Kaihui Liu等，在Nature Nanotechnology上发表综述文章，主要集中在两大方向上的二维vDW材料外延方法：平面内单晶单层的生长，以及平面外同质结构的制备。首先讨论了单畴的成核控制和多畴的取向控制，以获得较大尺度的单晶单层。还分析了在各种外延生长技术中，典型2D vDW材料的缺陷水平和晶体质量的测量。然后，概述了生长均匀多层膜和转角同质结构的技术路线。进一步总结了当前的策略，以指导未来在优化2D vDW材料的按需制造方面研究，以及为工业应用的后续器件制造。Understanding epitaxial growth of two-dimensional materials and their homostructures. 了解二维材料的外延生长及其同质结构。
图1: 二维2D 范德华 van der Waals，vDW材料及其同质结构外延生长的代表性进展。
图2: 单畴的成核控制。
图3: 多域定向控制。
图4: 均匀多层膜的制备。
图5: 转角同质结构的制造。文献链接Liu, C., Liu, T., Zhang, Z. et al. Understanding epitaxial growth of two-dimensional materials and their homostructures. Nat. Nanotechnol. (2024).https://doi.org/10.1038/s41565-024-01704-3https://www.nature.com/articles/s41565-024-01704-3本文译自Nature。声明：仅代表译者观点，如有不科学之处，请在下方留言指正！
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