成果介绍自旋霍尔效应(SHE)是一种电流产生横向自旋电流的效应，在自旋电子学中对自旋极化电子的产生和操控起着重要的作用。这种现象源于自旋-轨道耦合。一般来说，较强的自旋-轨道耦合有利于更大的SHE，但更短的自旋弛豫时间和扩散长度。然而，相关的磁性材料往往不支持大的SHE。在单一材料中同时实现大SHE，长程自旋输运和磁性对自旋电子学应用具有吸引力，但仍然是一个挑战。有鉴于此，近日，美国康奈尔大学Kin Fai Mak和Jie Shan（共同通讯作者）等通过直接磁光成像证明了AB堆叠的MoTe2/WSe2莫尔双层中存在一个巨大的本征SHE与铁磁性共存。在密度<1 A m-1的中等电流下，观察到样品横向边缘的自旋积累接近饱和自旋密度。本文还展示了长程自旋霍尔输运和有效的非局部自旋积累，仅受器件尺寸(约10 μm)的限制。栅极依赖性表明巨SHE只发生在相互作用驱动的Chern绝缘态附近。在低温下，它在量子反常霍尔击穿后出现。本文的研究结果表明，Berry曲率和电子相关性的莫尔工程具有潜在的自旋电子学应用。图文导读 图1. SHE的直接观察。
