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柔性和大面积电子产品，依靠薄膜晶体管thin-film transistors (TFTs)， 以制造显示器、大面积图像传感器、微处理器、可穿戴医疗保健贴片、数字微流体等。 尽管硅基互补金属氧化物半导体complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS)芯片是使用单个晶圆上的多个芯片制造的，并且多项目晶圆概念在同一芯片内聚合各种CMOS芯片设计，但薄膜晶体管TFT制造，目前缺少完全验证的通用设计方法。这增加了制造基于薄膜晶体管TFT柔性电子产品的成本和复杂性，减慢了集成到更成熟应用中的速度，并限制了可实现的设计复杂性。 今日，比利时 鲁汶大学（Katholieke Universiteit Leuven，KU Leuven）Hikmet Çeliker, Wim Dehaene & Kris Myny，在Nature上发文， 报道了稳定和高产量的薄膜晶体管TFT平台，用于两种主流薄膜晶体管TFT技术的无厂化fabless制造，基于晶片的非晶铟镓锌氧化物和基于面板的低温多晶硅，这两种关键的薄膜晶体管TFT技术适用于柔性基板。 在两种技术中，都设计了Iconic 6502微处理器，作为演示和扩展多项目晶圆方法的使用案例。类比于硅CMOS技术，薄膜晶体管TFT晶圆模型，可加速基于这些器件应用和技术的增长和发展。
Multi-project wafers for flexible thin-film electronics by independent foundries. 用于柔性薄膜电子产品的多项目晶片。
图1: 薄膜晶体管thin-film transistors，TFT多项目晶片方法。
图2: 反相器和环形振荡器特性。
图3: 为铟镓锌氧化物indium–gallium–zinc oxide，IGZO和低温多晶硅Low-temperature polycrystalline silicon，LTPS技术实现的数字流表示。
图4: FLEX 6502芯片和表征。 文献链接Çeliker, H., Dehaene, W. & Myny, K. Multi-project wafers for flexible thin-film electronics by independent foundries. Nature (2024). https://doi.org/10.1038/s41586-024-07306-2https://www.nature.com/articles/s41586-024-07306-2本文译自Nature。
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