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基于二维2D过渡金属二硫族化物半导体的高性能电子器件开发，已经从一次性原理验证，发展到了更具可重复性的集成器件。同时必须优化材料质量（及金属触点、电介质和2D半导体之间界面），以提高器件性能。 今日，英国 剑桥大学王琰Yan Wang，Manish Chhowalla等，在Nature Electronics上发表评述文章，研究了基于2D过渡金属二硫族化物电子学发展的关键直接挑战，并将掺杂、p型接触和高介电常数电介质确定为关键问题。这些挑战源于2D过渡金属二硫属元素化物中，存在的高密度缺陷，并建议业界更多地关注具有低缺陷浓度的高质量材料生长。还提供了关于识别这些2D器件的行业兼容电介质建议。
Critical challenges in the development of electronics based on two-dimensional transition metal dichalcogenides. 基于二维过渡金属二硫族化物的电子学发展中的关键挑战。
图 1. 二维过渡金属硫族化物transition metal dichalcogenides，TMD 缺陷。
图 2. 二维过渡金属硫族化物TMD 的电触点
图 3. 二维过渡金属硫族化物TMD 的氧化电介质 文献链接Wang, Y., Sarkar, S., Yan, H. et al. Critical challenges in the development of electronics based on two-dimensional transition metal dichalcogenides. Nat Electron (2024). https://doi.org/10.1038/s41928-024-01210-3https://www.nature.com/articles/s41928-024-01210-3本文译自Nature。
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