|
应变，对 MoS2 层的光学和电子特性的影响引起了特别关注，因为它可以提高光电和自旋电子器件的性能。尽管已经探索了几种方法，但应变通常是从外部施加到二维材料上的。近日，西班牙帕特纳瓦伦西亚大学分子科学研究所 (ICMol)Alicia Forment-Aliaga，Eugenio Coronado团队在Nature Chemistry上发文，报道了一种可逆的“自应变”系统的制备，其中应变是由基于 MoS2 的复合材料的一种成分在分子水平上产生的。自旋交叉纳米粒子，被共价接枝到半导体二硫化钼的功能化层上，形成混合异质结构。在施加外部刺激（光照射或温度变化）时，在两种自旋状态之间切换的能力，有助于在 MoS2 层上产生应变。这种自旋交叉伴随着体积变化，所产生的应变，引起异质结构的电学和光学性质发生实质性和可逆的变化。
图 1：制备 SCO/MoS2 杂化异质结构的合成方法示意图。
图 2：CE-MoS2、PTS-MoS2 和 SCO/MoS2-1 的光谱表征
图 3：SCO/MoS2-1、SCO/MoS2-2a、SCO/MoS2-2b 和 SCO/MoS2-2c 的 TEM 形态表征。
图 4：传输测量。
图 5：PL 测量。
https://doi.org/10.1038/s41557-021-00795-y 本文译自“Nature Chemistry”。
| 
