图6.苏州工业园区第三代半导体产业链(来源:DeepTech)第三代半导体材料典型企业:1)山东天岳:山东天岳是中国SiC半绝缘衬底龙头企业,也是第三代半导体材料领域第一家上市企业。截至2021年底,山东天岳SiC衬底产能约为50000片/年,衬底尺寸主要为4英寸。山东天岳在半绝缘型SiC衬底领域国内市场占有率第一,主要客户为中电科13所和55所。2020年,公司招股说明书上表示公司市场占有率较上年增12个百分点,位列世界前三,大大缩小了与国外竞争对手的差距。山东天岳总部位于山东济南,产业化基地位于上海临港新片区,于2020年底开始建设,总投资25亿元。2)天科合达:天科合达公司是中国SiC导电型衬底龙头企业,公司实现2英寸至6英寸SiC晶片产品的规模化供应,2020年启动8英寸晶片产品研发。截至2021年底,公司SiC衬底折合4英寸产能约为50000片/年。天科合达总部位于北京市大兴区,在北京和江苏徐州有产业化基地,2021年在深圳投资22亿元建设6英寸SiC衬底及外延生产线。3)纳维科技:苏州纳维科技有限公司是中国首家GaN衬底晶片供应商,GaN衬底尺寸以2英寸为主,4英寸至6英寸已经小批量出货,技术水平全球领先。纳维科技2英寸GaN衬底产量接近10000片/年,客户主要为全球研发型机构,面向激光器、LED、电子器件、探测器和太赫兹等应用。 (四)创新生态生机勃勃,助力打造核心竞争力中国建立了较为完善的第三代半导体技术创新体系。与全球同步,中国科研院所和大学也相继开展了第三代半导体材料的研究,主要包括中科院物理所、山东大学、中科院硅酸盐所、中科院半导体所以及中国电子科技集团第46研究所等单位,这些科研单位的超前研究成果构建了中国第三代半导体产业技术基础。随着全球第三代半导体产业化水平的持续推进,中国越来越多的科研单位在细分领域和主要环节进行科学研究,如清华大学、北京大学、浙江大学、西安电子科技大学、复旦大学等单位,这些单位完善了中国第三代半导体研究体系。为建设以企业为主体、市场为导向、产学研用深度融合的技术创新体系,全面提升中国第三代半导体领域的自主创新能力,支撑第三代半导体产业集群式发展,深圳、苏州、南京、山西、湖南、北京等国家级第三代半导体技术创新中心相继成立,中国第三代半导体技术研发格局基本形成。
图7.中国第三代半导体产业研究机构分布图(来源:DeepTech)中国第三代半导体技术创新机构形成以北京、江苏和广东三地为核心全国多点分布的格局。北京市研发力量全国最强,不仅有顶级的科研单位代表,如中科院半导体所、中科院物理所、清华大学、北京大学、国网研究院等,主要企业如天科合达、中科钢研、泰科天润、世纪金光等也汇聚于此。江苏省和广东省紧随其后,形成了以大学、科研院所、国家级技术创新中心、省市级技术创新平台、企业研发中心为代表的完善的研发体系。上海市、山东省、山西省、湖南省、江西省、福建省、安徽省、浙江省等地区依托大学、大院、大所以及龙头企业正在建设符合区域发展的研究队伍。中国第三代半导体技术创新人才形成以院士为引领,杰青、长江学者、国家高层次人才计划、青年学者等多层次人才梯队结构。郑有炓、甘子钊、王立军、江风益、郝跃、刘明等院士专家构成了中国第三代半导体领域第一人才梯队,在前沿领域进行探索研究,为中国第三代半导体技术指明了方向。以徐现刚、陈小龙、张荣、王新强、龙世兵等杰青和长江学者为代表的专家,以及张清纯、严群、张波等国家计划重点人才形成了中国第三代半导体领域第二人才梯队,在学科建设、技术引领、人才培养方面发挥重要作用。广大的青年专家、学者、企业技术负责人等构成了中国第三代半导体领域第三人才梯队,在技术研究、工程研发、产业化推进等方面贡献力量。另外,依托早期半导体照明产业的发展,中国在第三代半导体领域初步积累了人才基础,三安光电、国星光电、乾照光电等半导体照明龙头企业都为第三代半导体领域的重要参与者。典型研究机构:1)电子科技大学:电子科技大学国家示范性微电子学院依托现有的电子科学与工程学院,拥有电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学功率集成技术实验室、国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心、极高频复杂系统国防重点学科实验室、微波电真空器件国防科技重点实验室、国家集成电路人才培养基地、国家集成电路设计成都产业化基地研发培训中心、3个国家级实验教学示范中心、10个省部级重点实验室及工程中心等实验平台。学院开展了SiC JBS、SiC PiN和SiC功率MOSFET(平面和槽栅)研究。650V/1200V(10A/20A)SiC JBS二极管已获批量应用;1200V/25A、1700V/15A SiC MOSFET以及4.5kV/6.5kV/10kV(50A/100A)SiC PiN二极管已经流片成功,可以进行产业化推广;实现10kV SiC MOSFET晶体管以及 10kV SiC JBS二极管样品开发工作。自研650V GaN HEMT器件,导通电阻 70mΩ,电流40A,达到国际商用器件Navitas NV6128芯片技术水平;自研100V GaN HEMT器件,导通电阻21mΩ,电流45A ,与国际商用器件EPC 2051器件性能相当。2)松山湖材料实验室:松山湖材料实验室第三代半导体材料与器件团队涵盖了从上游薄膜材料外延、中游芯片设计制备、到下游器件模组封装等全部产业链研究布局。构建外延片生长及表征系统、紫外LED芯片制备系统、AlN陶瓷基板及封装应用系统与应用级产品测试开发系统等四大板块。2020年松山湖材料实验室成功建设了一条SiC外延工艺研发产线。