Nat. Nanotechnol.：范德华场效应结构中平带色散的电学探测

成果介绍由于在范霍夫奇点上新兴现象和相关电子态所揭示的丰富物理性质，2D平带系统最近引起了相当大的兴趣。然而，电学探测场效应结构中平带位置的困难阻碍了对其性质的研究。有鉴于此，近日，瑞士洛桑联邦理工学院Andras Kis等使用硒化铟(InSe)作为平带系统，因为在没有扭转角要求的情况下，材料的少层形式的价带边缘存在范霍夫奇点。本文研究了栅控少层InSe结构中的隧穿光电流，并将其与双极性输运和光致发光测量联系起来。本文观察到由于平带处范霍夫奇点的存在，隧穿机制出现了急剧的变化。通过研究隧穿电流作为一种可靠的探针，用于室温下的平带位置，进一步证实了本文的研究发现。本文的研究结果为研究2D材料异质结中的平带系统创造了一种替代方法。图文导读
图1. 封装InSe器件的示意图和能带结构。         

图2. 少层InSe的场效应输运和隧穿光电流。         

图3. 少层InSe的激子发射和隧穿机制。         

图4. 温度依赖的横向输运和隧穿电流。文献信息Electrical detection of the flat-band dispersion in van der Waals field-effect structures（Nat. Nanotechnol., 2023, DOI:10.1038/s41565-023-01489-x）文献链接：https://www.nature.com/articles/s41565-023-01489-x