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二维半导体（如过渡金属二硫属元素化物）已经展示了开发高度可调量子器件的巨大前景。要实现这一潜力，需要在量子特性相关的低温和低密度时，依然表现良好的低电阻电接触。 今日，美国 哥伦比亚大学（Columbia University）Jordan Pack，Cory R. Dean等，在Nature Nanotechnology上发文，提出了一种新的二维半导体器件结构，主要利用电荷转移层，在接触区实现了大空穴掺杂，并将该技术应用于测量高纯度单层WSe2的磁输运性质。 实验测量了80,000cm2V–1s–1创纪录高空穴迁移率和低至1.6×10E11cm-2接入通道载流子密度，比以前可实现的低一个数量级。在低密度时，实现了高迁移率器件的透明接触，从而输运测量了相关驱动的量子相，包括在预期形成维格纳晶体的密度和温度范围内，观察了低温金属-绝缘体转变，以及在较大磁场时，观察了分数量子霍尔效应。 在二维半导体及其异质结构中，电荷转移接触方案，有助于发现和调控新的量子现象。
Charge-transfer contacts for the measurement of correlated states in high-mobility WSe2. 用于测量高迁移率硒化钨WSe2中，相关态的电荷转移接触。
图1: 电荷转移接触结构。
图2: 低密度硒化钨WSe2的输运性质。
图3: 低密度金属－绝缘体转变metal–insulator transition，MIT。
图4: 观察分数量子霍尔效应fractional quantum Hall effect，FQHE。文献链接 Pack, J., Guo, Y., Liu, Z. et al. Charge-transfer contacts for the measurement of correlated states in high-mobility WSe2. Nat. Nanotechnol. (2024). https://www.nature.com/articles/s41565-024-01702-5 本文译自Nature。 声明：仅代表译者观点，如有不科学之处，请在下方留言指正！
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