|
芯片是当代最伟大的发明之一。如果没有芯片的出现，很难想象当前的电子时代会是什么样子。正是因为芯片的发明，所有的功能才得以浓缩在一个小小的芯片中。
芯片是集成电路的载体，它从晶圆上切割而来，通常是计算机或其他电子设备的重要组成部分。以晶圆为基础，通过层层叠加，就可以完成想要的形状（即各种类型的芯片），而作为半导体产业的基础，晶圆是集成电路的基础载体，因此晶圆的重要性不言而喻。本文着重讲解晶圆的生产以及发展现状。
#01 什么是晶圆
在现代技术的领域中，半导体晶圆作为集成电路和电子设备的基础构建模块，已经彻底改变了我们的生活。晶圆是由纯硅（Si）制成的。它通常分为6英寸、8英寸和12英寸等不同规格。芯片厂购买晶圆，用来制造NAND闪存和DRAM晶圆。由于每家公司使用的纳米技术不同，生产的NAND闪存芯片在性能、成本等方面存在差异。制造成为NAND闪存晶圆后，晶圆会被切割成一个个独立的晶片，专业术语称为Die(裸晶)。这些微小的、平坦的硅片承载着令人瞩目的历史，其历史可以追溯到20世纪中期。
1.1、早期岁月：半导体晶圆的诞生
半导体晶圆的历史始于20世纪60年代初，但其起源可以追溯到几十年前。半导体的基础工作在20世纪30年代和40年代奠定，当时像朱利叶斯·利利内夫尔德、约翰·巴丁和沃尔特·布拉坦等研究人员开发了场效应晶体管（FET）和点接触晶体管，这标志着固体电子学的第一步。
直到20世纪60年代初，半导体晶圆的概念才真正成型。像德州仪器、英特尔这样的公司对晶圆作为制造集成电路（ICs）的理想衬底的发展和商业化起到了关键作用。
硅，这种在沙子中发现的丰富元素，由于其半导体性质，被证明是半导体晶圆的理想材料。最早的晶圆相对较小，直径大约为1英寸（2.54厘米）。然而，随着对更复杂、更强大的电子设备的需求增长，晶圆的尺寸也必须随之增长。
在20世纪60年代末和70年代初，行业从1英寸晶圆过渡到更大的尺寸，如2英寸（5.08厘米）和3英寸（7.62厘米）。这使得每个晶圆可以生产更多的组件，从而提高了效率并降低了成本。到了20世纪70年代末，4英寸（10.16厘米）晶圆成为行业标准。
1.2、重大飞跃：6英寸晶圆的引入 20世纪80年代标志着半导体晶圆历史上一个重要的里程碑，当时引入了6英寸（15.24厘米）晶圆。这一飞跃使得制造商能够进一步提高生产力并降低成本，使半导体更加适用于更广泛的用途。随着更大尺寸的晶圆，单个批次的芯片数量成倍增加，从而降低了每片芯片的成本。
6英寸晶圆的尺寸在1980年代和1990年代一直占据主导地位。晶圆尺寸的持续增长要求制造过程和精密工程方面的进步，以确保晶圆的均匀性和无缺陷。
1.3、现代奇迹：8英寸和12英寸晶圆的时代 随着半导体行业的继续发展，对更大晶圆的需求变得明显。20世纪90年代初，8英寸（20.32厘米）晶圆成为新的标准，进一步降低了制造成本，推动了消费电子、计算机和电信的增长。
然而，对性能和微型化的渴望持续存在，导致在2000年代初采用了12英寸（30.48厘米）晶圆，也称为300mm晶圆。从12英寸晶圆的过渡需要对制造设施和设备进行重大投资，但结果是提高了芯片产量和降低了每片芯片的成本。
1.4、未来前景：旅程继续
今天，12英寸晶圆仍然是行业标准，并且正在进行的研究和开发工作集中在更大的晶圆尺寸上。尽管从450mm晶圆（约18英寸）的转变面临重大技术和经济挑战，但这一前景已经讨论过。
如何进一步超越尺寸，半导体行业还在探索其他材料，如化合物半导体和石墨烯，这些材料可能会导致新的晶圆类型，为特殊应用提供改进的性能。
1.5、小结
半导体晶圆的历史是人类智慧和创新的一个见证。从20世纪60年代的起点到今天12英寸晶圆的奇迹，这些微小的硅片已经实现了数字革命，并改变了电子世界。晶圆的直径通常有多种标准规格，如200mm、300mm、450mm等，其中300mm是目前最常用的规格。较大的晶圆直径使得从单个晶圆上可以生产出更多的半导体器件，从而提高了生产力和效率。如果晶圆厂今天仍然生产1英寸的晶圆，它们将无法支持智能手机、平板电脑和PC的产量。
#02 晶圆的构造
晶圆构造
2.1、晶圆（Wafer）
a.定义：晶圆是半导体制造过程中的核心原材料，它是一个圆形的半导体基板，通常由单晶硅制成。
b.状态：晶圆是未加工的原始材料，上面没有电子电路。
c.用途：晶圆用于制造裸晶，它是整个制造过程的起点。
2.2、裸晶（Die） d.定义：裸晶是从晶圆上切割下来的单个集成电路，它包含了完整的电路设计。
e.状态：裸晶是未经过封装的，是半成品。
f.用途：裸晶需要进一步地测试和封装才能成为最终的芯片。
2.3、划线（Scribe Line） g.定义：划线是在晶圆上形成的没有电子电路的边缘线条，它们位于晶圆的边缘，用于将晶圆上的每个芯片分隔开来。这些裸晶看起来像是被粘在一起，但实际上它们之间有间隙。这个间隙称为划线。划线是金刚石锯安全切割裸晶的空间。
h.作用：划线是切割晶圆上裸晶的基准线，它们有助于在后续的晶圆切割过程中准确地分割出单个芯片。
2.4、平面区域（Flat） i.定义：平面区域是晶圆上的一个平坦区域，它有助于识别晶圆的结构，并在晶圆加工期间作为参考线。
j.作用：由于晶圆的结构太小，肉眼无法看到，因此平面区域用于确定晶圆的方向。
2.5、凹槽（Notch） k.定义：凹槽是晶圆边缘的一种特殊设计，它比平面区域更为高效，因为它可以提供更多的参考点，帮助更准确地定位晶圆。带有凹槽的晶圆已经取代了平面区域。与带有平面区域的晶圆相比，带有凹槽的晶圆在生产更多的芯片方面更为高效。
l.作用：凹槽的设计使得晶圆在生产过程中可以更高效地切割和定位，从而提高生产效率。
#03 晶圆是怎么制成的
半导体晶圆的纯度、表面平整度、清洁度和杂质污染对芯片有着极其重要的影响，因此半导体晶圆的制造极为重要。晶圆生产制造是一个高度复杂且技术密集的过程，涉及多个步骤和精密的设备。随着技术的发展，晶圆生产制造的工艺也在不断进步，以支持更先进的制程和更高的制造质量。
3.1、原材料 沙子可以作为制造晶圆的原材料，主要原因在于沙子的主要成分是二氧化硅（SiO2），而硅（Si）是半导体的原料，二氧化硅也存在于普通沙子中，因此可以直接从沙子中提取,普通沙子只含有大约80%的二氧化硅。
3.2、晶圆加工 晶圆是由硅（Si）或砷化镓（GaAs）制成的单晶柱切割而成的圆形切片。为了提取高纯度的硅材料，需要硅砂，这是一种特殊材料，其硅含量高达95%，也是制造晶圆的主要原料。晶圆加工是制作和获得晶圆的过程。
3.2.1、收集沙子获取电子级硅 一旦沙子运抵制造厂，工厂人员会加入碳，并在炉中加热混合物。加热过程将碳与沙子的氧含量结合，产生二氧化碳并释放出99%的纯硅。搅拌机将硅分离出来，进一步提纯以生产适合生长晶体的电子级硅：
沙子（SiO2）在高温（2000摄氏度）下与碳反应，产生硅和二氧化碳（CO2）。这时，硅是冶金级的（MGS：Metallic Grade Silicon），即粗多晶硅。
在多晶硅净化后，纯净的三氯硅烷（TCS）在1100摄氏度下与氢气（H2）反应，生成电子级（EGS：Electric Grade Silicon）多晶硅和氯化氢（HCl），然后生产单晶硅。
3.2.2、晶体生长获取硅锭 电子级硅是多晶硅的性质。材料中每个晶体的接合点会干扰电子信号并使芯片出现缺陷。因此，在制造晶圆和芯片之前，制造商必须提取单个硅晶体。
有两种从电子级硅生产单晶硅的方法：
3.2.2.1、CZOCHRALSKI方法（直拉法）
CZOCHRALSKI方法在一个附有旋转坩埚的容器中熔化硅晶体。当有足够的熔融硅时，技术人员会向混合物中投入一个小锭。然后，熔融硅容器以与坩埚旋转相反的方向旋转，从而拉出硅棒，再将其切割成晶圆。
步骤一：多晶硅和掺杂物的熔化
步骤二：向熔融物中放入晶种
步骤三：晶体开始生长
步骤四：缓慢向上提拉棒，同时棒与下面的坩埚之间以反方向旋转
步骤五：单晶硅生长完成
当前大部分的单晶硅是采用直拉法拉晶的。熔融硅的温度、流速、晶体和坩埚旋转速度的快慢，以及拉晶速度的准确控制对获得高质量的单晶硅锭起关键的作用。
3.2.2.2、浮区方法
浮区方法不使用石英坩埚，而是使用掺有氩气的原料。氩气使杂质硅晶体悬浮在空气中，杂质晶体穿过熔融区域与硅反应，形成单晶锭。然后将晶体拉回并提取。晶体上一个狭窄的区域熔融，此熔化区是沿晶体移动（在实践中，晶体被拉动穿过加热器）。熔化区将不纯固体在固体前边缘熔化并将更纯的物质凝固在后边留下。
区熔法对于如IGBT这类功率器件（高电阻率分立器件）的需求是理想的长晶方法。
生长过程还包括掺杂程序，它向硅中引入其他元素以操纵其导电性。
3.2.3、晶圆制造过程
生长过程产生的棒体，即硅棒或硅锭，得到硅棒后，按不同产品要求，使用电镀金刚石带锯或内圆切割刀片对其去头裁尾。内圆或外圆切割效率低、材料损失率大、加工质量低，故目前多采用金刚石带锯来切割硅棒。已切除圆角的硅棒表面并非规则的圆柱形，需使用电镀或烧结型金刚石杯形砂轮对硅棒滚圆，以达到所需直径。
从硅锭到单个晶圆的过程涉及几个关键步骤：
3.2.3.1、修剪/开槽
晶圆有一个凹口（6英寸的是平的），这个凹口应在锭完成时切割。这个凹口必须沿着特定的线切割。（添加晶向标记，对于大尺寸的晶圆，一般是柱面磨削出一道凹槽作为定位槽(Notch)，对于小尺寸的一般磨削出平边作为定位边(Flat)。）
3.2.3.2、将硅锭切割成晶圆
晶圆是使用带有嵌入式金刚石碎片的圆形刀片切割的。刀具旋转，但硅锭/锭只进行平移而不旋转。每个晶圆的厚度由两片刀片之间的距离决定。一般来说，晶圆的厚度为4英寸的525毫米，5英寸的625毫米，6英寸的675毫米，8英寸的725毫米，12英寸的775毫米，切割后，晶圆表面相对平坦且光滑，因此减少了后续研磨所需的时间和精力。然而，每次只能切割每把金刚石锯上的一个晶圆，这使得这种技术不如研磨（通过线锯切割）生产力高。切割分为内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。
为了提高生产力，采用了多线切割方法，允许同时切割多个晶圆。一根高质量的钢线，长度可达100公里，直径在100到200微米之间，绕在一个旋转滚筒上，该滚筒具有数百个均匀间隔的凹槽。线锯的运行速度通常约为10米/秒，并涂有金刚石颗粒或用金刚石或碳化硅等磨粒的浆液润湿，以及载体流体（乙二醇或油）。
这种线锯方法的主要优点是能够用单根线同时切割数百个晶圆。然而，与使用圆锯切割的晶圆相比，切割后的晶圆表面更加凹凸不平，因此这些晶圆需要更长的后续研磨时间。
3.2.3.3、镭射标号
激光打标记的主要目的是为了在晶圆上标记各种信息，如制造商的标识、批次号、生产日期等，以便于追踪和质量控制。切割之后（切割是从单晶硅锭中切出圆形硅晶圆的步骤）晶圆可能还没有进行抛光，表面可能相对粗糙。在此时进行激光打标记可以确保标记不会被后续的抛光步骤所去除。这个步骤非常重要，因为它提供了晶圆的追踪信息，有助于质量控制和管理。
3.2.3.4、边缘缝合
切割良好的晶圆边缘有一个尖锐的圆柱边缘。需要将其磨成圆形以减少应力。在固定的槽中磨晶圆，就像磨刀一样。这主要是为了防止晶圆边缘开裂，并解决晶体格点中的任何不完美之处。
3.2.3.5、研磨
因为刚切割的晶圆表面一定有很多损伤和粗糙，这一步骤类似于化学机械抛光（CMP），可以使用研磨膏将其磨平改善硅片的总平坦度、翘曲度。因此，晶圆有时被称为抛光晶圆。通过研磨消除这些锯痕和切割过程造成的表面损伤是至关重要的，这一步骤旨在提高单晶硅的平坦度、曲率和平行度，确保其满足后续抛光过程的技术要求。
研磨时，硅片固定在如上图所示的上、下研磨盘(Lapping Plate)之间的载盘(Lapping Carrier)上，上下研磨盘相对方向旋转的时候，就能起到对硅片两面同时研磨的效果。
3.2.3.6、刻蚀
因为抛光仍然是机械过程，所以它仍然无法完全去除损伤，要将这些损伤去除，但尽可能低的引起附加的损伤。因此需要化学反应来去除表面缺陷。主要使用的化学品是硝酸（HNO3）+氢氟酸（HF）+醋酸（CH3COOH）的比例为4:1:3。在硝酸氧化过程中，氢氟酸会侵蚀二氧化硅（SiO2）。
3.2.3.7、抛光
在此之后，是湿化学机械抛光（CMP）过程，目的是在半导体晶圆的一侧实现高反射率的表面，且无划痕和损伤。化学蚀刻过程涉及使用由氢氟酸（HF）与硝酸和乙酸混合而成的溶液来溶解硅。在CMP过程中，晶圆被安装在夹具上并放置在CMP机器中，在那里它们经历结合了化学和机械抛光的过程。通常，CMP使用硬质聚氨酯抛光垫，并配有在碱性溶液中分散的细磨粒，如氧化铝或二氧化硅。CMP过程的最终产品是具有高反射率、“镜面”般表面的晶圆，在一侧没有划痕和损伤，适合制造半导体芯片。
3.2.3.8、清洗
在现代设备的生产中，晶圆清洗过程可能占整个制造过程的30%至40%，这突显了清洗半导体晶圆和处理底层表面的重要性。在进入晶圆制造过程之前，晶圆表面必须经过清洗，以消除任何附着的颗粒和有机/无机污染物。还必须去除硅氧化物。晶圆表面的污染物可能以离子和吸附元素、薄膜、松散颗粒、颗粒团簇和吸附气体的形式存在。在过去40年中，标准半导体晶圆清洗过程中使用的化学品基本保持不变。它依赖于使用氢氧化物和氨水溶液的RCA清洗程序，该溶液具有酸性特性。
3.2.3.9、测试
现在，既然已经拥有了完整的晶圆，晶圆的平整度和颗粒度是当今集成电路器件的关键影响因素，确保其最佳功能性和适用于操作要求是非常重要的。对晶圆完整性的两个主要威胁是电流和溶剂，因为这些都是导致损坏或断裂的主要原因。会不可避免的在其表面相应层中引入诸如：颗粒异物、划痕、缺失等缺陷，也有本身材质存在的缺陷。颗粒是可能引入的工序有刻蚀、抛光、清洗等。冗余物缺陷主要来自于生产加工中晶圆表面的灰尘、空气纯净度未到达标准以及加工过程中化学试剂等。为了减轻这些风险，因此，每一片晶圆的平整度(Flatness)和颗粒度(Particle)均需经过特定设计的仪器检查，以确保晶圆质量。如果符合标准，晶圆就被认为是准备好进行分发的。如果失败，晶圆将被标记并从批次中筛选出来。
检测原理：颗粒异物在光刻时会遮挡光线，造成集成电路结构上的缺陷，污染物可能会附着在晶圆表面，造成图案的不完整。
通过以上工艺，晶圆（抛光片polished wafer）的制作就完成了。据了解，抛光片的使用约占硅片应用的70%，在抛光片的基础上，按照按照制程设计和产品差异衍生出退火片 (annealed wafer)及外延片(磊晶晶圆，epitaxial wafer)，其他特殊工艺包括 SOI（绝缘体上硅，Silicon-On-Insulator） 等。约占硅片应用的30%。
（1）抛光晶圆：
·应用场景：主要用于数字与模拟集成电路、存储器、功率器件等芯片的制造。
·应用产品：包括各种集成电路、存储器、功率器件等。
（2）退火晶圆：
·应用场景：用于消除晶圆表面的缺陷和应力，提高晶体质量，改善电学性能。
·应用产品：广泛应用于半导体器件的制造，如晶体管和集成电路。
（3）外延晶圆：
·应用场景：用于在晶圆表面外延生长一层不同电阻率的单晶薄膜，以提高特定区域的电学性能。
·应用产品：广泛应用于制造高频大功率器件、二极管、IGBT功率器件、低功耗数字与模拟集成电路及移动计算通讯芯片等。
（4）SOI晶圆：
·应用场景：在衬底中间加入一层绝缘层，提供全介质隔离。
·应用产品：广泛应用于数字SOI、RF-SOI、功率SOI、FD SOI、光学SOI等，应用于处理器芯片、连接SoC、射频应用、智能功率转换电路、智能手机、物联网、5G、汽车等领域。
这些晶圆类型在半导体制造中各自发挥着独特的作用，根据具体的应用需求和工艺条件选择使用。随着半导体技术的不断发展，这些晶圆类型的应用场景也在不断扩展和优化。
#04 晶圆厂发展现状以及挑战
晶圆厂，即半导体制造工厂，也被称为晶圆代工工厂或晶圆制造厂，是生产集成电路（IC）和其他半导体产品的设施。
2024年，中美在芯片领域的竞争和争端进一步加剧。美国政府在3月30日发布了新的出口管制规定，针对半导体项目出口，特别是人工智能（AI）芯片和芯片制造工具。这些新规定旨在使中国更难获取美国的AI芯片和芯片制造设备。具体来说，新规定对向中国出口的芯片实施了更严格的限制，甚至适用于包含这些芯片的笔记本电脑。这一系列措施是美国对华半导体和AI芯片领域出口管制的再次升级。
这些新规定在2022年和2023年美国对华半导体出口限制的基础上进一步强化。例如，去年10月，美国商务部公布了针对中国的半导体出口管制最终规则，加严了对人工智能相关芯片和半导体制造设备的出口限制。美国政府的这些举措被指责为泛化国家安全概念、滥用出口管制措施，并实施单边霸凌行径，这些行为被认为严重违反了市场经济原则和国际贸易规则，对全球产业链和供应链稳定构成了威胁。
中国方面对这些措施表达了强烈不满和坚决反对，强调美国的行为严重破坏了市场规则和国际经贸秩序。中国外交部发言人指出，美方所作所为严重违反了市场经济原则，并敦促美方立即纠正错误，停止对中国企业实施非法单边制裁和“长臂管辖”。中国方面也一直在努力传达希望继续与美国维持建设性关系的愿望，并强调双方应遵循经济与市场规则，扩展与深化互惠商务合作，尊重各自发展的权利。
这些事件反映了中美在科技领域的竞争愈发激烈，尤其是在半导体和AI技术等重要领域。美国的这些举措可能会对全球半导体行业产生重大影响，同时也可能影响通过向中国市场销售产品而获利的美国公司。这些限制可能会使英伟达等公司失去大量收入来源，进而影响市场对半导体行业增长的预测。同时，没有如此严格限制的其他国家有可能填补中国市场的空白，从而改变全球竞争格局。
2024年，全球晶圆产业呈现出显著的增长趋势，特别是在中国地区。根据国际半导体产业协会（SEMI）的报告，2024年全球半导体产能预计将增长6.4%，达到每月3000万片晶圆的大关。其中，中国的晶圆产能增长尤为显著，预计将增长13%，达到每月860万片，这主要得益于政府和其他激励措施的推动。
在全球晶圆代工行业中，中国大陆的晶圆代工市场也表现出强劲的增长趋势。2018年至2022年，中国大陆晶圆代工市场规模从391亿元增长至771亿元，年均复合增长率为18.5%。预计这一趋势将持续，中国晶圆代工市场将继续保持较高速增长。
台积电（TSMC-中国台湾）、三星（Samsung-韩国）、格芯（GlobalFoundries-美国）、联电（UMC-中国台湾）、中芯国际（SMIC-中国上海）、高塔（Tower-以色列）、力积电（PSMC-中国台湾）、华虹集团（HuaHong Group-中国上海）、世界先进（VIS-中国台湾）、高科（DB Hitek-韩国）
此外，晶圆代工行业的需求受到半导体整体产业景气度的影响。2022年，全球晶圆代工市场规模为1360亿美元，较2021年上涨24%。到2024年，预计将有15座新的12英寸晶圆厂上线，其中13个用于生产集成电路（IC），这些新晶圆厂主要用于生产功率器件、高级逻辑芯片，以晶圆代工服务为主。
整体来看，2024年的晶圆产业发展趋势表明，随着全球半导体产能的增长和晶圆代工市场的扩张，中国在晶圆产业中的地位将进一步加强。同时，晶圆代工行业的发展也将受益于半导体市场的整体增长和政府政策的支持。
当前国内外晶圆技术存在一些差异，主要体现在以下几个方面：
1. 技术成熟度和先进性：国际上一些领先的企业，如台积电（TSMC）和英特尔（Intel），在先进制程技术（如7纳米、5纳米甚至更小）方面处于领先地位。而国内企业虽然在追赶，但在最先进的制程技术上与国际领先水平还存在差距。
2. 产能和规模：国际大厂通常拥有更大的产能和规模，能够支持更广泛的产品线和更高的产量。国内企业虽然在快速扩张，但在总体产能和规模上还有提升空间。
3. 研发投入和创新能力：国际大厂在研发投入和创新能力方面通常更为强大，拥有更多的专利和技术积累。国内企业虽然也在加大研发投入，但在某些领域还需时间积累和突破。
4. 供应链和生态系统：国际大厂通常拥有更成熟和完善的供应链和生态系统，这有助于他们更好地应对市场变化和客户需求。国内企业在这方面也在快速发展，但在某些环节上还需加强。
5. 政策和市场环境：国内企业通常受益于政府的支持和市场保护，这有助于他们在国内市场的快速发展。而国际大厂则在全球市场中竞争，面临更为复杂多变的环境。
总体而言，虽然国内外晶圆技术存在差异，但国内企业正在快速追赶，不断提升自身的技术实力和市场竞争力。随着技术的进步和产业的发展，这些差异有望逐渐缩小。
以下是一些国内知名的晶圆厂：
1. 中芯国际（SMIC）：是中国最大的晶圆代工企业，也是全球第四大晶圆代工企业。总部位于中国大陆，中芯国际在多个先进工艺节点上都有显著进展，中国最大的晶圆代工企业，提供从0.35微米到14纳米工艺节点的广泛服务。
2. 华虹半导体（Hua Hong Semiconductor）：包括华虹NEC和华虹宏力，是中国另一大晶圆代工企业，专注于多种工艺技术。专注于12英寸晶圆制造，提供多种工艺节点。
3. 长电科技（JCET）：主要专注于封装测试业务，但也拥有部分晶圆制造能力。
4. 合肥晶合集成电路有限公司（Hefei High-Tech Integrated Circuit Co., Ltd.）：专注于研发和制造150纳米至90纳米工艺节点的12英寸晶圆代工服务，产品广泛应用于多个领域。
5. 华润微电子（CR Microelectronics）：提供多种工艺节点的晶圆制造服务。
6. 粤芯半导体（Guangzhou Wafer）：专注于12英寸晶圆制造，提供多种工艺节点。
7. 武汉新芯 (XMC)：专注于NAND闪存和晶圆级封装技术的研发与生产。
8. 紫光集团 (Tsinghua Unigroup)：旗下拥有多家半导体相关企业，涉及存储器、晶圆制造等领域。
9. 长江存储 (Yangtze Memory Technologies Co., Ltd., YMTC)：专注于3D NAND闪存技术的研发与制造。
10. 合肥长鑫 (Hefei Changxin Memory Storage Co., Ltd.)：专注于DRAM存储器的研发与生产。
11. 上海华力微电子 (HLMC)：隶属于华虹集团，专注于集成电路的制造。
12. 华润微电子 (CR Micro)：涉及模拟与混合信号集成电路、功率器件、传感器等多种半导体产品的研发与生产。
13. 士兰微电子 (Silan Microelectronics)：专注于模拟与混合信号集成电路和分立器件的制造。
14. 广州粤芯半导体技术有限公司 (Guangzhou CanSemi Technology Co., Ltd.)：专注于模拟与混合信号集成电路的制造。
15. 深圳方正微电子有限公司 (Founder Microelectronics Co., Ltd.)：提供集成电路的设计、制造服务。
16. 珠海全志科技股份有限公司 (Allwinner Technology Co., Ltd.)：专注于智能终端芯片的研发与制造。
17. 深圳比亚迪微电子有限公司 (BYD Microelectronics Co., Ltd.)：隶属于比亚迪集团，涉及功率半导体、智能控制IC等产品的研发与生产。
这些公司是中国半导体行业的重要参与者，涵盖从集成电路制造到特定半导体产品的研发与生产。随着中国在全球半导体行业中地位的提升，这些企业的作用和影响力也在不断增长。
(注：制程中的12nm和7nm等是指在晶圆上制造芯片时晶体管之间的最小距离或线宽。这个尺寸反映了半导体制造技术的先进程度，即晶体管可以制造得多小。制程尺寸越小，晶体管就可以更紧密地排列，这意味着在同样大小的晶圆上可以集成更多的晶体管，从而提高性能和能效，减少功耗。）
#04 小 结
晶圆，作为半导体产业的核心，其技术进步和应用范围的拓展，无疑将对我们未来的生活产生深远影响。晶圆的质量和制造工艺直接影响最终芯片的性能和可靠性，因此在半导体行业中，晶圆制造是一个高度专业化和技术密集型的领域。随着技术的发展，晶圆的尺寸越来越大，工艺精度越来越高，这有助于提高芯片的集成度和性能。希望通过今天的分享，您能对晶圆有更深入的了解，并感受到这个领域的无限魅力。
END
| 
