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新型二维半导体晶体，具有超越固有半导体属性的多种物理性质，而备受关注。然而，同时利用半导体特性和忆阻特性，以生产忆阻晶体管，仍极具挑战。 近日，延世大学 Jihong Bae, Jongbum Won，Wooyoung Shim、Cheolmin Park、Aloysius Soon、韩国陶瓷工程技术研究所Jong-Young Kim等，在Nature Materials上发文，报道了一类半导体III-V衍生的范德华晶体，尤其是HxA1-xBX表现出忆阻特性。 利用系统的高通量筛选，筛选出了44个潜在III-V化合物；在这些化合物中，作者成功合成了十种，包括氮化物、磷化物、砷化物和锑化物。这些材料表现出了独特的特性，如电化学极化和忆阻现象，同时保持了半导体属性。利用二维晶体半导体和忆阻特性之间协同相互作用，展示了单栅极记忆晶体管中的栅极可调突触和逻辑功能。该项方法指导了范德华材料的发现，这些材料具有非传统晶体对称性的独特性质。
Cation-eutaxy-enabled III–V-derived van der Waals crystals as memristive semiconductors.忆阻半导体：阳离子自旋III–V衍生的范德瓦尔斯晶体。
图1: 新预测质子化III–V 范德华vdW晶体的实验实现。
图2: 范德华vdW HxK1–xGaSb2晶体和电化学极化。
图3:4O-HxK1–xGaSb2忆阻特性。
图4:在单个4O-HxK1–xGaSb2 多端忆阻器memtransistor中的逻辑门。 文献链接Bae, J., Won, J., Kim, T. et al. Cation-eutaxy-enabled III–V-derived van der Waals crystals as memristive semiconductors. Nat. Mater. (2024). https://doi.org/10.1038/s41563-024-01986-xhttps://www.nature.com/articles/s41563-024-01986-x本文译自Nature。
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